主页产品 MOSFET 中压MOSFET

中压MOSFET

中压MOSFET(Medium-voltage MOSFET)在电压和电流能力之间取得了平衡,是工业应用中最常见的类型。漏源电压(Vds)通常为200V, 300V, 400V, 500V, 600V。超结技术是其革命性的进步,它通过在传统的漂移区中插入P型柱,实现了比传统平面结构更低的导通电阻和更快的开关速度。

制造商
VDS_Max/V
-
ID_Max /A
-
VGS(th)Typ/V
-
RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V
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RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V
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RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 4.5V
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RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V
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VGS_Max/V
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可用中压MOSFET型号:{{totalCount}}
型号 制造商 封装 类型 VDS_Max/V ID_Max /A VGS(th)Typ/V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 4.5V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V VGS_Max/V
JMSH1002AE JJM TO-263-3L N 100 270 2.7 1.6 2 ±20
JMSH1002AS JJM TO-247-3L N 100 314 2.8 1.7 2 ±20
JMSH1002BC JJM TO-220C-3L N 100 258 2.7 2.3 2.8 ±20
JMSH1002BE JJM TO-263-3L N 100 258 2.7 2.1 2.6 ±20
JMSH1002NC JJM TO-220C-3L N 100 284 2.8 2.4 2.9 ±20
JMSH1002NE JJM TO-263-3L N 100 284 2.8 2.4 2.9 ±20
JMSH1002NS JJM TO-247-3L N 100 274 2.8 3.2 4.2 ±20
JMSH1002NTL JJM PowerJE®10x12 N 100 337 3 2 2.4 ±20
JMSH1002RE JJM TO-263-3L N 100 241 3.2 2.2 2.9 ±20
JMSH1002TC JJM TO-220C-3L N 100 193 2.9 2.2 2.6 ±20
JMSH1002TE JJM TO-263-3L N 100 193 2.9 2.1 2.4 ±20
JMSH1002TTL JJM PowerJE®10x12 N 100 280 3 1.6 2.1 ±20
JMSH1002UTL JJM PowerJE®10x12 N 100 326 3.1 1.35 1.8 ±20
JMSH1002YC JJM TO-220C-3L N 100 175 3.2 3.3 4 ±20
JMSH1002YE JJM TO-263-3L N 100 175 3.2 3.1 3.7 ±20
JMSH1002YTL JJM PowerJE®10x12 N 100 215 3 2.3 3 ±20
JMSH1003AG JJM PDFN5x6-8L N 100 144 2.7 2.8 3.5 ±20
JMSH1003ATL JJM PowerJE®10x12 N 100 228 2.8 2.7 3.4 ±20
JMSH1003ME JJM TO-263-3L N 100 245 2.9 2.3 2.8 ±20
JMSH1003NC JJM TO-220C-3L N 100 213 3 3.2 3.8 ±20