主页产品 MOSFET 中压MOSFET

中压MOSFET

中压MOSFET(Medium-voltage MOSFET)在电压和电流能力之间取得了平衡,是工业应用中最常见的类型。漏源电压(Vds)通常为200V, 300V, 400V, 500V, 600V。超结技术是其革命性的进步,它通过在传统的漂移区中插入P型柱,实现了比传统平面结构更低的导通电阻和更快的开关速度。

制造商
VDS_Max/V
-
ID_Max /A
-
VGS(th)Typ/V
-
RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V
-
RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V
-
RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 4.5V
-
RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V
-
VGS_Max/V
-
可用中压MOSFET型号:{{totalCount}}
型号 制造商 封装 类型 VDS_Max/V ID_Max /A VGS(th)Typ/V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 4.5V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V VGS_Max/V
JMTC110N06A JJM TO-220C-3L N 60 55 3 11.1 14.5 ±20
JMTC170N10A JJM TO-220-3L N 100 59 2.8 16 20 ±25
JMTC320N10A JJM TO-220-3L N 100 30 1.6 21.2 32 ±20
JMTC4004A JJM TO-220C-3L N 40 120 1.6 3.4 4.5 ±20
JMTC58N06B JJM TO-220C-3L N 60 58 1.6 8.3 10.8 ±20
JMTC60N04B JJM TO-220C-3L N 40 60 1.7 5.9 7.7 ±20
JMTC6888A JJM TO-220C-3L N 68 80 3 7.2 9.4 ±20
JMTC80N06A JJM TO-220C-3L N 60 80 3 5.3 7 ±20
JMTD2N7002KS JJM DFN1006-3L N 60 0.2 1.6 1660 2200 ±20
JMTE025N04D JJM TO-263-3L N 40 190 2.7 1.5 2.1 ±25
JMTE035N04A JJM TO-263-3L N 40 150 2.8 3.2 4 ±25
JMTE035N06D JJM TO-263-3L N 60 180 3 2.9 3.8 ±20
JMTE060N06A JJM TO-263-3L N 60 120 3 4.6 6 ±25
JMTE068N07A JJM TO-263-3L N 70 80 2.9 5.8 7.5 ±20
JMTE070N07A JJM TO-263-3L N 68 120 3 5.8 7.5 ±20
JMTE6888A JJM TO-263-3L N 68 80 3 7.5 9 ±20
JMTG016N04A JJM PDFN5x6-8L N 40 210 1.7 1.2 1.6 ±20
JMTG021N04A JJM PDFN5x6-8L N 40 199 1.7 1.6 2.1 ±20
JMTG027N04A JJM PDFN5x6-8L N 40 210 2.8 1.8 2.4 ±20
JMTG035N04A JJM PDFN5x6-8L N 40 100 3 3 3.5 ±25