虽然三星有望在人工智能驱动的芯片价格上涨的背景下实现三年来最好的第三季度利润，但 SK 海力士也发出了强烈的信号。据ZDNet报道，29日，该公司公布的25年第三季度综合营业利润为11.38万亿韩元，同比增长62%，利润率为47%，这是其利润首次突破10万亿韩元的里程碑。据《朝鲜日报》报道，季度销售额同比增长 39% 至 24.45 万亿韩元，与市场预测的 11.41 万亿韩元非常接近。
以下是收益报告中三个关键要点的摘要：HBM4 进展、资本支出计划以及 DRAM 和 NAND 前景。
HBM4 将于第四季度开始出货;2026 年与客户的价格谈判结束
SK海力士已确认与主要客户的所有2026年HBM供应谈判均已完成。HBM4 于 9 月完成开发，满足所有性能要求，并准备好提供业界最快的速度。第四季度开始发货，明年销售额将扩大。《朝鲜日报》和 ZDNet 表示，NVIDIA 可能是已确认的客户之一。
TrendForce指出，NVIDIA 最近向其 Vera Rubin 服务器机架的关键组件供应商施压，要求其升级产品规格，特别要求将每引脚的 HBM4 速度提高到 10 Gbps，因为 AMD 将于 4 年推出其 MI450 Helios 平台。TrendForce集邦咨询补充说，虽然这些升级是否成功仍不确定，但SK海力士有望在HBM4的早期量产阶段保持领先供应商的地位。
2026 年资本支出将攀升，并制定强劲的扩张计划
正如韩联社所强调的那样，随着财务状况的加强和需求的增长，SK 海力士计划在 2026 年增加投资。报告建议，该公司遵循的原则是，根据三年移动平均线，将其资本支出维持在销售额的 30% 左右。
值得注意的是，News1强调，SK 海力士认为，为了满足快速增长的需求，不可避免地增加了对内存领域的投资，预计明年的资本支出将“大幅增长”。
报告补充说，明年基础设施投资将继续扩大，包括龙仁一号集群和美国印第安纳州先进封装工厂的准备工作。与此同时，该公司正在通过 M15X 提高新产能——据报道，其洁净室提前开放并已开始安装设备。
根据商务韩国，SK海力士已开始在其清州M15X晶圆厂安装关键设备，该晶圆厂将生产HBM和其他产品。报告指出，该设施计划于年底完工，明年开始生产。
据《韩国商业新闻》报道，作为 M15 晶圆厂的扩建，M15X 的投资超过 20 万亿韩元，预计将于今年年底完成建设。
DRAM 和 NAND 预测：25 年第四季度表现和 2026 年展望
据SK 海力士称，预计第四季度将迎来另一个强劲的季度，预计 DRAM 和 NAND 销售额将环比增长低个位数。该公司预计，继 2025 年高速增长之后，2026 年 DRAM 需求将同比增长 20% 以上。NAND 需求预计也将强劲增长，从 2025 年的十几岁增长率上升到 2026 年达到十几岁。
SK海力士解释说，随着KV Cache从HBM依次卸载到传统的DRAM和SSD，同时并行处理多个请求，内存需求正在急剧上升。该公司表示，这正在造成对 DRAM（HBM、高性能 DDR5）和 NAND（eSSD）需求的结构性转变。
为了满足需求，SK海力士计划加快向已稳定量产的先进10纳米级第六代（1c）工艺的过渡，并扩大在服务器、移动和图形领域的DRAM供应。对于 NAND，该公司的目标是提高其 321 层产品（全球层数最高的产品）的产量，以快速满足客户需求。