在近期新闻报道中——美光退出Crucalical消费内存业务，三星和SanDisk据报道推迟NAND交付——超大规模企业强劲的内存需求正在给消费品，尤其是智能手机带来压力。据Calian Press引用TrendForce高级研究副总裁Avril Wu的话，健康的智能手机内存库存通常覆盖8至10周，但当前库存已跌破四周。
Calian Press指出，库存处于极低水平，制造商即使价格偏高也不得不购买，否则生产线无法继续运转。值得注意的是，报告强调低价库存可能只会持续到2026年第一季度;之后，企业必须接受新的涨价以补充库存。
中国Koobee智能手机制造商Coosea集团发言人告诉彩联，中低端智能手机芯片——涵盖部分4G和5G机型——仍然依赖DDR4x或更低，DDR5不被支持。报告补充说，预计在未来三年里，DDR4将继续成为该细分市场的主流。
然而，这些产品面临最紧迫的供需压力，导致价格涨幅最为剧烈。强劲的AI服务器（CSP）需求正在消耗HBM和企业DDR5的晶圆产能，整体内存生产紧张，制造商优先考虑高利润率HBM，压缩其他内存类型的供应。
值得注意的是，Calian报道称DRAM价格今年已飙升超过四倍，Flash几乎翻了三倍。据Calian引述Coosea称，4GB DDR4x芯片从年初的7美元涨升至11月中旬的30多美元，涨幅达到4至5×。同期，64GB eMMC也从3.2美元跃升至超过8美元。
据韩国《美日财经报》报道，目前三星和SK海力士只会将DDR4的生产延长到明年，之后计划停产。
DRAM成本上升预计将首先影响入门智能手机
正如TrendForce指出的，这波DRAM价格上涨将首先影响入门级智能手机。据TrendForce报道，2025年智能手机内存价格激增主要源于DRAM价格上涨。DRAM合同价格预计同比增长超过75%，鉴于内存通常占总物料清单成本的10–15%，这导致2025年整体单价上涨约8–10%。
目前，TrendForce预测2025年全球智能手机产量同比增长1.6%，但提醒持续的内存供应问题可能导致进一步下修。
据Calian引用的Coosea指出，公司正在调整内存配置，以优先考虑核心智能手机体验。例如，主流配置的12GB + 512GB可能会转向更具成本效益的8GB + 256GB版本，Calian补充说，这表明近年来智能手机存储容量快速翻倍的趋势明年可能会逆转。
除了缩小规模，价格上涨也是不可避免的。小米总裁陆卫冰此前告诉分析师，公司已确保2026年全年内存供应，但警告称，短缺可能导致智能手机价格上涨，产品成本反映零部件价格上涨。
在这一趋势下，中国存储器制造商加快研发和生产步伐。《经济日报》称，GigaDevice计划大规模生产LPDDR4X并正在开发LPDDR5X，而Montage Technology则在提升其DDR5内存接口芯片（RAM）的渗透率，TWSC则宣布了私募计划，以扩大SSD和内存的生产。
