随着中国加速推动半导体自给自足，所有目光都聚焦于领先科技公司在美国制裁下推动尖端技术的发展，华为显然处于领先地位。据日本专利研究工具Patentfield（京都）数据显示，这家中国芯片巨头近年来大幅增加了GPU相关专利申请量，同时也涉足了亚2纳米技术，包括极紫外（EUV）和先进光刻技术。
随着AI芯片竞赛加剧，GPU专利激增
报告援引Patentfield的数据指出，截至2023年结束的五年间，华为与GPU相关的专利申请量增长了十倍，超过了NVIDIA和英特尔。仅2023年，华为就申请了3,091项专利——约是2018年的10倍，是英特尔的3倍，英伟达的5倍——据日经报道，显示了其GPU技术的快速进展。
今年九月，华为公布了Ascend AI芯片的多年发展蓝图，计划稳步发布至2028年。据Mydrivers称，推广计划将于2026年第一季度从Ascend 950PR开始，950DT在2026年第四季度推出，随后Ascend 960在2027年第四季度和Ascend 970在2028年第四季度推出。其中，950芯片的一个关键特点是华为自研的HBM。
日经指出，三星电子近年来也增加了与GPU相关的专利，这很可能得益于其为AI数据中心工作负载开发的HBM。使用“GPU + HBM”组合关键词搜索显示，这一激增大约始于五年前。据Patentfield报道，三星在2023年和2024年GPU+HBM的申请数量均超过400件，而NVIDIA则约为300件。
深入2纳米芯片制造
值得注意的是，正如日经所指出，华为的相关文件还显示出对后2纳米半导体技术的推动。报告补充称，搜索带有“全能栅”晶体管关键词的专利——该词用于2nm以上节点——显示华为在2023年提交了20项专利。
有趣的是，报告指出华为已申请涵盖“CFET”（互补场效应晶体管）和“晶体管”的专利，其中CFET通过垂直堆叠晶体管实现了1nm及以下节点，而不仅仅是微型化。报告称，文件中还包含“EUV”和“Lithography”，反映华为在美国制裁阻止进口的情况下，仍致力于推进尖端技术。
在这些专利中，《南华早报》指出，华为于2021年9月提交的一项重要申请——该文件于去年公开——概述了利用SAQP（自对齐四重图案化）来“增强电路图案的设计灵活性”。
另外，报告还强调了一项已有三年历史的华为高级图案化专利，据称无需极紫外光刻即可达到2纳米级能力。报告补充称，在美国制裁下，华为正在寻求一种金属集成方法，能够在21nm以下的间距下，用DUV工具制造超窄金属结构——这是2纳米级芯片的关键门槛。