碳化硅(Silicon carbide,Sic)是一种半导体,被用于越来越多的电子元件。碳化硅 MOSFET 就是一个很好的例子,通常简称为碳化硅 FET。这些碳化硅、SiC MOSFET 或 SiC FET 比其硅等效电子元件在性能上提供了一些有用的改进。从本质上讲,这些 SiC MOSFET 比硅同类产品提供更高的阻断电压、更低的导通电阻和更高的导热性。
| 型号 | 制造商 | 封装 | VDS/V | ID/A | RDS/mΩ | PD/W |
|---|---|---|---|---|---|---|
| LGE3M80120B | LGE | TO-247-3 | 1200 | 40 | 80 | 208 |
| LGE3M80120J | LGE | TO-263-7 | 1200 | 32 | 80 | 136 |
| LGE3M80120Q | LGE | TO-247-4 | 1200 | 42 | 80 | 300 |
| LGE3M160120B | LGE | TO-247-3 | 1200 | 19 | 160 | 134 |
| LGE3M160120E | LGE | TO-263-2 | 1200 | 17 | 160 | 127 |
| LGE3M160120Q | LGE | TO-247-4 | 1200 | 20 | 160 | 138 |
| LGE3M650170B | LGE | TO-247-B | 1700 | 7 | 650 | 62 |
| RSM065030W | AF | TO247-3 | 650 | 55 | 30 | |
| RSM065030Z | AF | TO247-4 | 650 | 55 | 30 | |
| RSM065060W | AF | TO247-3 | 650 | 29 | 60 | |
| RSM065060Z | AF | TO247-4 | 650 | 29 | 60 | |
| RSM120018Z | AF | TO247-4 | 1200 | 105 | 18 | |
| RSM120025W | AF | TO247-3 | 1200 | 90 | 25 | |
| RSM120025Z | AF | TO247-4 | 1200 | 90 | 25 | |
| RSM120040W | AF | TO247-3 | 1200 | 68 | 40 | |
| RSM120040Z | AF | TO247-4 | 1200 | 68 | 40 | |
| RSM120075W | AF | TO247-3 | 1200 | 33 | 75 | |
| RSM120075Z | AF | TO247-4 | 1200 | 33 | 75 | |
| RSM120080W | AF | TO247-3 | 1200 | 36 | 80 | |
| RSM120080Z | AF | TO247-4 | 1200 | 36 | 80 |