IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor),全称绝缘栅双极型晶体管,是一种功率半导体器件,广泛应用于高电压、大电流的开关应用中。它结合了MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和BJT(双极结型晶体管)组成的复合功率半导体器件,同时具备MOSFET开关速度高、输入阻抗高、控制功率低、驱动电路简单、开关损耗小的优点,和BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点。IGBT在高压、大电流、高速方面有突出的产品竞争力,已经成为功率半导体主流发展方向。
| 型号 | 制造商 | 封装 | 类别 | 电压/V | 电流/A |
|---|---|---|---|---|---|
| SSC120TR15GT2 | AF | TO-247-3 | 1200V IGBT | 1200 | 15 |
| SSC120TR25GT2 | AF | TO-247-3 | 1200V IGBT | 1200 | 25 |
| SSC120TR40GT2 | AF | TO-247-3 | 1200V IGBT | 1200 | 40 |
| SSC120TR40NGT2 | AF | TO-247-3 | 1200V IGBT | 1200 | 40 |
| SSC120TR75GT2 | AF | TO-247-3 | 1200V IGBT | 1200 | 75 |
| SSC120TR75NGT2 | AF | TO-247-3 | 1200V IGBT | 1200 | 75 |
| SSCG40R120GT2 | AF | TO-247-3L | 1200V IGBT | 1200 | 40 |
| SSC65TR10GT6 | AF | TO-263-3L | 650V IGBT | 650 | 10 |