主页产品 新型功率器件 IGBT

IGBT

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，全称绝缘栅双极型晶体管，是一种功率半导体器件，广泛应用于高电压、大电流的开关应用中。它结合了MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和BJT（双极结型晶体管）组成的复合功率半导体器件，同时具备MOSFET开关速度高、输入阻抗高、控制功率低、驱动电路简单、开关损耗小的优点，和BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点。IGBT在高压、大电流、高速方面有突出的产品竞争力，已经成为功率半导体主流发展方向。

制造商
{{item}}
重置 全选
封装
{{item}}
重置 全选
类别
-
{{item}}
重置 全选
电压/V
-
{{item}}
重置 全选
电流/A
-
{{item}}
重置 全选
可用IGBT型号：{{totalCount}}个
型号 制造商 封装 类别 电压/V 电流/A
LGEGF15N065T2 LGE TO-220F 650V IGBT 650 15
LGEGK15N065T2 LGE TO-263 650V IGBT 650 15
LGEGP15N065T2 LGE TO-220 650V IGBT 650 15
LGEGF20N065T2 LGE TO-220F 650V IGBT 650 20
LGEGK20N065T2 LGE TO-263 650V IGBT 650 20
LGEGP20N065T2 LGE TO-220 650V IGBT 650 20
LGEGW20N065T2 LGE TO-247 650V IGBT 650 20
LGEGW40N065F1 LGE TO-247 650V IGBT 650 40
LGEGI50N065T1 LGE TO-3P 650V IGBT 650 50
LGEGW60N065F1A1/A2 LGE TO-247 650V IGBT 650 60
LGEGW60N065T1 LGE TO-247 650V IGBT 650 60
LGEGW65N065FPA1 LGE TO-247 650V IGBT 650 65
LGEGW75N065F1 LGE TO-247 650V IGBT 650 75
LGEGW75N065T1 LGE TO-247 650V IGBT 650 75
LGEGW75N065FP LGE TO-247 650V IGBT 650 75
LGEGQ100N065FP LGE TO-247- PLUS 650V IGBT 650 100
LGEGL200N065 LGE TO264 650V IGBT 650 200
LGEGW10N120T1 LGE TO-247 1200V IGBT 1200 10
SSC65T50GT6 AF TO-263-3L 650V IGBT 650 80
SSC65T15GT4 AF TO-220-3L 650V IGBT 650 15