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中压MOSFET

中压MOSFET(Medium-voltage MOSFET)在电压和电流能力之间取得了平衡,是工业应用中最常见的类型。漏源电压(Vds)通常为200V, 300V, 400V, 500V, 600V。超结技术是其革命性的进步,它通过在传统的漂移区中插入P型柱,实现了比传统平面结构更低的导通电阻和更快的开关速度。

制造商
VDS_Max/V
-
ID_Max /A
-
VGS(th)Typ/V
-
RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V
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RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V
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RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 4.5V
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RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V
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VGS_Max/V
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可用中压MOSFET型号:{{totalCount}}
型号 制造商 封装 类型 VDS_Max/V ID_Max /A VGS(th)Typ/V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 4.5V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V VGS_Max/V
JMSH1552PG JJM PDFN5x6-8L N 150 25 3.3 49 64 ±20
JMSH1552PK JJM TO-252-3L N 150 17 3.3 48 63 ±20
JMSH1552PU JJM PDFN3x3-8L N 150 14 3.3 51 67 ±20
JMSH1565AGS JJM PDFN5x6-8L N 150 18 3.2 52 65 ±20
JMSH1565AKS JJM TO-252-3L N 150 18 3.2 52 65 ±20
JMSH1565APS JJM SOP-8 N 150 4.1 3.2 52 65 ±20
JMSH1565AUS JJM PDFN3x3-8L N 150 14 3.2 54 65 ±20
JMSH1566AG JJM PDFN5x6-8L N 150 11.6 3.3 57 72 ±20
JMSH1566AK JJM TO-252-3L N 150 20 3.2 57 72 ±20
JMSH2010BC JJM TO-220C-3L N 200 129 3.3 9.4 10.9 ±20
JMSH2010BE JJM TO-263-3L N 200 129 3.3 9.1 10.7 ±20
JMSH2010BS JJM TO-247-3L N 200 130 3.3 8.8 10.6 ±20
JMSH2010BTL JJM PowerJE®10x12 N 200 118 3.3 8 9.6 ±20
JMSH2010PC JJM TO-220C-3L N 200 96 3.1 9.3 11.7 ±20
JMSH2010PE JJM TO-263-3L N 200 109 3.1 9.1 10.7 ±20
JMSH2010PS JJM TO-247-3L N 200 122 3 8 9.6 ±20
JMSH2010PTL JJM PowerJE®10x12 N 200 119 3 7.2 8.6 ±20
JMSL0401AG JJM PDFN5x6-8L N 40 189 1.5 1.3 1.7 ±20
JMSL0401BG JJM PDFN5x6-8L N 40 243 1.5 0.83 1 ±20
JMSL0401PG JJM PDFN5x6-8L N 40 297 1.8 0.8 1.1 ±20