LEADSILICON 高压MOSFET

高压MOSFET的优点是工作电压是中高压(一般小于40V),尺寸小和集成度高。高压 MOS 的器件结构决定了它的源极和漏极都能承受高压,高压 MOSFET适合用于模拟电路和输出驱动。高压MOSFET产品广泛应用于可再生能源、电动汽车、工业自动化和消费电子产品等领域。

可用LEADSILICON高压MOSFET型号:46个
型号 品牌 类型 VDS_Max/V ID_Max/A VGS(th)Typ/V RDS(ON)Typ (mΩ) @VGS 10V RDS(ON)_Max (mΩ) @VGS 10V VGS_Max (V) 封装
LCPF65R235A LEADSILICON S-N 650 15 3.5 235 280 ±30 TO-220F
LC1D70R670A LEADSILICON S-N 700 10 3 665 730 ±30 TO-251
LC1U70R250A LEADSILICON S-N 700 16 3 253 300 ±30 TO-252
LC1U70R670A LEADSILICON S-N 700 10 3 665 730 ±30 TO-252
LCPF70R340A LEADSILICON S-N 700 15 3 340 380 ±30 TO-220F
LCPF80R220A LEADSILICON S-N 800 20 3.5 215 250 ±30 TO-220F
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