主页产品 MOSFET 高压MOSFET AF

AF 高压MOSFET

高压MOSFET的优点是工作电压是中高压（一般小于40V），尺寸小和集成度高。高压 MOS 的器件结构决定了它的源极和漏极都能承受高压，高压 MOSFET适合用于模拟电路和输出驱动。高压MOSFET产品广泛应用于可再生能源、电动汽车、工业自动化和消费电子产品等领域。

可用AF高压MOSFET型号：31个
型号 品牌 类型 VDS_Max/V ID_Max/A VGS(th)Typ/V RDS(ON)Typ (mΩ) @VGS 10V RDS(ON)_Max (mΩ) @VGS 10V VGS_Max (V) 封装
SSC8V6N65GT8 AF N 700 6 3 1290 ±30 TO-252
SSC8V4N65GT8 AF N 650 4 3 2220 ±30 TO-252
SSC8V7N65GT8 AF N 650 7 3 1150 ±30 TO-252
SSC8V10N65GT8 AF N 650 10 3 820 ±30 TO-252
SSC8V12N65GT8 AF N 650 12 3 640 ±30 TO-252
SSC8V16N65GT8 AF N 650 16 3 480 ±30 TO-252
SSC8V20N65GT8 AF N 650 20 3 420 ±30 TO-252
SSC8V30N65GT8 AF N 650 30 3 235 ±30 TO-252
SSC8V4N60GT8 AF N 600 4 3 1900 ±30 TO-252
SSC8V8N60GT8 AF N 600 8 3 1000 ±30 TO-252
SSC8V10N60GT8 AF N 600 10 3 700 ±30 TO-252
SSC8V12N60GT8 AF N 600 12 3 560 ±30 TO-252
SSC8V16N60GT8 AF N 600 16 3 410 ±30 TO-252
SSC8V20N60GT8 AF N 600 20 3 350 ±30 TO-252
SSC8V20N60HT8 AF N 600 20 3 220 ±30 TO-252
SSC8V30N60GT8 AF N 600 30 3 200 ±30 TO-252
SSC8V3N50GT8 AF N 500 3 3.1 3000 ±30 TO-252
SSC8V5N50GT8 AF N 500 5 3 1330 ±29 TO-252
SSC8V9N50GT8 AF N 500 9 3 680 ±30 TO-252
SSC8V13N50GT8 AF N 500 13 3 500 ±30 TO-252
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