主页产品 新型功率器件 碳化硅二极管 LGE

LGE 碳化硅二极管

碳化硅二极管（Silicon carbide diode, SiC Diodes）是一种半导体器件，由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐压能力和高的温度耐受性，因此碳化硅二极管具有较低的反向漏电流、高温下稳定性良好、响应速度快等特点。

可用LGE碳化硅二极管型号：20个
型号 品牌 VF/V IF/A IR/μA VR/V 封装
LGE3D02120F LGE 1.4 2 1 1200 TO-252
LGE3D04065A LGE 1.4 4 1 650 TO-220AC
LGE3D05120A LGE 1.38 5 2 1200 TO-220AC
LGE3D06065A LGE 1.45 6 7 650 TO-220AC
LGE3D06065AF LGE 1.38 6 2 650 ITO-220AC
LGE3D06065F LGE 1.43 6 5 650 TO- 252/DPAK
LGE3D06065G LGE 1.5 6 5 650 DFN8×8
LGE3D06065N LGE 1.45 6 5 650 DFN5×6
LGE3D08065A LGE 1.45 8 12 650 TO-220AC
LGE3D08120A LGE 1.45 8 3 1200 TO-220AC
LGE3D10065A LGE 1.45 10 2 650 TO-220AC
LGE3D10065AF LGE 1.4 10 2 650 ITO-220AC
LGE3D10065AI LGE 1.4 10 2 650 TO-220AC
LGE3D10065E LGE 1.45 10 12 650 TO- 263/D2PAK
LGE3D10065F LGE 1.45 10 12 650 TO- 252/DPAK
LGE3D10065G LGE 1.5 10 10 650 DFN8×8
LGE3D10065H LGE 1.45 10 12 650 TO-247-2
LGE3D10120A LGE 1.45 10 5 1200 TO-220AC
LGE3D10170H LGE 1.5 10 5 1700 TO-247-2
LGE3D15065A LGE 1.4 15 2 650 TO-220AC
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