LGE IGBT

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，全称绝缘栅双极型晶体管，是一种功率半导体器件，广泛应用于高电压、大电流的开关应用中。它结合了MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和BJT（双极结型晶体管）组成的复合功率半导体器件，同时具备MOSFET开关速度高、输入阻抗高、控制功率低、驱动电路简单、开关损耗小的优点，和BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点。IGBT在高压、大电流、高速方面有突出的产品竞争力，已经成为功率半导体主流发展方向。