REASUNOS 低压MOSFET

低压 MOSFET (Low-voltage MOSFET)是多种电流应用中必不可少的电子元件,因为它们能够以低功率损耗切换大电流。它们在低电压下工作,设计为在漏源电压(Vds)通常低于 200 V 下工作。在消费电子、电信、工业自动化、能源管理系统、稳压器和电源等领域尤为常见。低压 MOSFET具有与高压设计相同的功能。它们非常适合需要高效率和处理大电流能力的应用,即使在电源电压非常低的情况下也是如此。

可用REASUNOS低压MOSFET型号:17个
型号 品牌 类型 VDS_Max/V ID_Max/A VGS(th)Typ/V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS4.5V RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V VGS_Max/V 封装
RS2301E REASUNOS P -20 -2.3 70 110 SOT-23
RS3415E REASUNOS P -20 -4 33 50 SOT-23
RS2302E REASUNOS N 20 2.1 32 45 SOT-23
RS2300E REASUNOS N 20 4.5 21 32 SOT-23
RS2N7002E REASUNOS N 60 0.34 1300 5000 SOT-23
RS20N60D REASUNOS N 20 60 4.8 6.5 TO-252
RS20N90D REASUNOS N 20 90 3.7 5 TO-252
RS3401E REASUNOS P -30 -4.2 50 65 SOT-23
RS4435 REASUNOS P -30 -11 15 20 SOP-8
RS3400E REASUNOS N 30 5.8 27 35 SOT-23
RS30N30K REASUNOS N 30 30 5.8 9 DFN3*3
RS30N50K REASUNOS N 30 50 3.8 5.5 DFN3*3
RS30N60D REASUNOS N 30 60 6.2 7.5 TO-252
RS30N86D REASUNOS N 30 86 4.7 5.5 TO-252
RS30N120G REASUNOS N 30 120 3 4 DFN5*6
RS30N150D REASUNOS N 30 150 2.6 3.4 TO-252
RS30N150T REASUNOS N 30 150 2.6 3.4 TO-220
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