低压 MOSFET (Low-voltage MOSFET)是多种电流应用中必不可少的电子元件,因为它们能够以低功率损耗切换大电流。它们在低电压下工作,设计为在漏源电压(Vds)通常低于 200 V 下工作。在消费电子、电信、工业自动化、能源管理系统、稳压器和电源等领域尤为常见。低压 MOSFET具有与高压设计相同的功能。它们非常适合需要高效率和处理大电流能力的应用,即使在电源电压非常低的情况下也是如此。
| 型号 | 品牌 | 类型 | VDS_Max/V | ID_Max/A | VGS(th)Typ/V | RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V | RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V | RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS4.5V | RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V | VGS_Max/V | 封装 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SSC8012GN2 | AF | N | 16 | 12 | 0.75 | 12 | ±12 | DFN2020-6L | |||
| SSC8120GN1 | AF | N+ESD | 20 | 0.7 | 0.6 | 310 | ±12 | DFN1006-3L | |||
| SSC8120GS6 | AF | N+ESD | 20 | 1.2 | 0.6 | 310 | ±12 | SOT-23 | |||
| SSC8120GS8 | AF | N+ESD | 20 | 0.8 | 0.6 | ±12 | SOT-523 | ||||
| SSC8120GS9 | AF | N+ESD | 20 | 0.75 | 0.6 | 300 | ±12 | SOT-723 | |||
| SSC8122GN1 | AF | N+ESD | 20 | 1.1 | 0.68 | 195 | ±8 | DFN1006-3L | |||
| SSC8122GS6 | AF | N | 20 | 1.5 | 0.8 | 220 | ±8 | SOT-23 | |||
| SSC8122GS7 | AF | N+ESD | 20 | 1.5 | 0.8 | 220 | ±8 | SOT-323 | |||
| SSC8122GS8 | AF | N+ESD | 20 | 1.2 | 0.7 | 220 | ±8 | SOT-523 | |||
| SSC8122GS9 | AF | N+ESD | 20 | 1 | 0.7 | 215 | ±8 | SOT-723 | |||
| SSC8022GS6 | AF | N | 20 | 3.5 | 0.7 | 35 | ±12 | SOT-23 | |||
| SSC8022GS6B | AF | N | 20 | 3 | 0.7 | 51 | ±12 | SOT-23 | |||
| SSC8428GS6 | AF | N | 20 | 7 | 0.7 | 16 | ±12 | SOT-23 | |||
| SSC8428GN2 | AF | N | 20 | 8 | 0.7 | 13 | ±12 | DFN2020-6L | |||
| SSC8222GN2 | AF | N | 20 | 15 | 0.7 | 7.5 | ±12 | DFN2020-6L | |||
| SSC8222GT8 | AF | N | 20 | 55 | 0.55 | 5.5 | ±12 | TO-252-2L | |||
| SSC8222GS1 | AF | N | 20 | 45 | 0.7 | 5.5 | ±12 | SOP-8 | |||
| SSC8228GQ4 | AF | N | 20 | 40 | 0.7 | 5.5 | ±12 | DFN3X3-8L | |||
| SSC8124GS6B | AF | N | 20 | 6 | 0.6 | 22 | ±12 | SOT-23 | |||
| SSC2314GS6A | AF | N | 20 | 6 | 0.6 | 22 | ±12 | SOT-23-3L |