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制造商
厂商型号
封装
描述
LP2E1N50A规格参数 |
|||
|---|---|---|---|
| Type | 高压MOSFET | ||
| RoHS | |||
| 制造商 | LEADSILICON | ||
| 类型 | S-N | ||
| VDS_Max/V | 500 | ||
| ID_Max/A | 1 | ||
| VGS(th)Typ/V | 3 | ||
| RDS(ON)Typ (mΩ) @VGS 10V | 8500 | ||
| RDS(ON)_Max (mΩ) @VGS 10V | 10500 | ||
| VGS_Max (V) | ±30 | ||
制造商
厂商型号
封装
描述
LP2E1N50A规格参数 |
|||
|---|---|---|---|
| Type | 高压MOSFET | ||
| RoHS | |||
| 制造商 | LEADSILICON | ||
| 类型 | S-N | ||
| VDS_Max/V | 500 | ||
| ID_Max/A | 1 | ||
| VGS(th)Typ/V | 3 | ||
| RDS(ON)Typ (mΩ) @VGS 10V | 8500 | ||
| RDS(ON)_Max (mΩ) @VGS 10V | 10500 | ||
| VGS_Max (V) | ±30 | ||