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制造商
厂商型号
封装
描述
LEADSILICON(上海领矽半导体有限公司)
LMBD170C04A
PDFNWB3.3×3.3-8L-B
N+P 40--40/V 13--10/A 1.5--1.5/V 17-40 24-50 21-50 40-65 ±20-±20/V
我要询价LMBD170C04A规格参数 |
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|---|---|---|---|
| Type | 中压MOSFET | ||
| RoHS | |||
| 制造商 | LEADSILICON | ||
| 类型 | N+P | ||
| VDS_Max/V | 40--40 | ||
| ID_Max /A | 13--10 | ||
| VGS(th)Typ/V | 1.5--1.5 | ||
| RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V | 17-40 | ||
| RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V | 24-50 | ||
| RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 4.5V | 21-50 | ||
| RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V | 40-65 | ||
| VGS_Max/V | ±20-±20 | ||