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制造商
厂商型号
封装
描述
LGAB120N06DA规格参数 |
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|---|---|---|---|
| Type | 中压MOSFET | ||
| RoHS | |||
| 制造商 | LEADSILICON | ||
| 类型 | D-N | ||
| VDS_Max/V | 60 | ||
| ID_Max /A | 25 | ||
| VGS(th)Typ/V | 1.7 | ||
| RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 10V | 13 | ||
| RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 10V | 17 | ||
| RDS(ON)Typ (mΩ)@VGS 4.5V | 17 | ||
| RDS(ON)Max (mΩ)@VGS 4.5V | 25 | ||
| VGS_Max/V | ±20 | ||